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MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25?C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1700 mA, 920--960 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
260
—
W
IMD Symmetry @ 130 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
—
10
—
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
—
50
—
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
=75WAvg.
GF
—
0.2
—
dB
Gain Variation over Temperature
(--30?Cto+85?C)
?G
—
0.024
—
dB/?C
Output Power Variation over Temperature
(--30?Cto+85?C)
(1)
?P1dB
—
0.0075
—
dB/?C
1. Exceeds recommended operating conditions. See
CW operation data in Maximum Ratings table.
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